112G GaAs PD（1x4）阵列芯片
HP0850-112-32-4：112G GaAs PD (1×4)阵列芯片，采用正入射台面型结构，光敏面直径为32 μm，支持840 nm至860 nm波长的探测。应用于数据中心所需的高速光纤链接等领域
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56G GaAs PD（1x4）阵列芯片
HP0850-56-35-4：56G GaAs PD (1×4)阵列芯片，采用正入射台面型结构，光敏面直径为35 μm，支持840 nm至860 nm波长的探测。应用于数据中心所需的高速光纤链接等领域
25G GaAs PD（1x4）阵列芯片
HP0850-25-40-4：25G GaAs PD (1×4)阵列芯片，采用正入射台面型结构，光敏面直径为40 μm，支持840 nm至860 nm波长的探测。应用于数据中心所需的高速光纤链接等领域
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